Selain hemat energi, teknologi baru ini juga memungkinkan peningkatan kapasitas penyimpanan yang lebih padat tanpa mengorbankan stabilitas kinerja. Dikutip dari laporan media Chosun Biz, penelitian ini dipublikasikan pada 27 November 2025 di jurnal ilmiah internasional Nature.
Samsung menjelaskan bahwa teknologi NAND flash yang digunakan secara luas saat ini memiliki struktur “string”, serangkaian sel memori yang terhubung berurutan. Untuk membaca satu sel data, sistem harus mengalirkan tegangan ke beberapa sel di depannya, fenomena yang disebut pass voltage.
Kendala muncul karena semakin banyak jumlah sel memori, semakin besar pula kebutuhan daya. Sementara upaya menurunkan pass voltage justru mengurangi margin sinyal antar-sel, sehingga menyulitkan penerapan teknologi multi level storage, teknik penyimpanan beberapa bit data dalam satu sel memori.
Untuk mengatasi keterbatasan ini, tim peneliti Samsung disebut mengembangkan memori berbasis FeFET yang menggunakan material ferroelectric sebagai inti teknologinya.
Material tersebut mampu mengubah arah polarisasi listrik melalui tegangan eksternal dan mempertahankan kondisi itu tanpa aliran listrik, menjadikannya sangat efisien secara energi.
Samsung menggunakan kombinasi hafnia ferroelectric yang didoping dengan zirkonium dan kanal semikonduktor oksida untuk menciptakan FeFET generasi baru. Hasilnya, memori tersebut mampu menyimpan hingga 5 bit data per sel secara stabil, bahkan saat tegangan lintas (pass voltage) hampir mendekati nol.
Menurut hasil uji internal, performa FeFET ini setara atau bahkan melampaui teknologi NAND komersial yang ada, sekaligus menekan konsumsi daya hingga 96 persen lebih rendah.
Dengan efisiensi sebesar ini, FeFET dipandang sangat ideal untuk aplikasi seperti server AI, perangkat mobile, dan sistem edge computing yang membutuhkan daya rendah dan kapasitas besar.
Samsung juga memastikan bahwa FeFET tetap menunjukkan performa stabil saat dikonversi ke dalam struktur tiga dimensi (3D) seperti NAND generasi terbaru. Dalam uji prototipe, FeFET tetap beroperasi normal bahkan dengan panjang kanal hanya 25 nanometer, membuktikan kesiapan teknologi ini untuk integrasi kepadatan tinggi dalam produksi massal di masa depan.
Cek Berita dan Artikel yang lain di
Google News
