Mengutip GSM Arena, keputusan investasi disetujui dewan direksi SK hynix pada tanggal 7 Agustus 2026. Dana tersebut akan digunakan untuk membangun fasilitas Y2 di Yongin dan M17 di Cheongju, dengan fokus produksi berbeda.
Fasilitas Yongin akan diarahkan pada DRAM, termasuk High Bandwidth Memory (HBM) untuk sistem AI, sedangkan fasilitas Cheongju akan memproduksi NAND flash untuk kebutuhan penyimpanan. Langkah ini memperlihatkan upaya SK hynix memperbesar kapasitas produksi dalam jangka menengah dan panjang.
SK hynix menilai kebutuhan memori terus meningkat seiring ekspansi pusat data AI dan penggunaan sistem komputasi berperforma tinggi.
Investasi USD38 Miliar untuk Yongin dan Cheongju
Dari total investasi KRW54,3 triliun (Rp686,6 triliun), sekitar KRW35,2 triliun (Rp445,06 triliun) dialokasikan untuk fasilitas Y2 di Yongin. Sementara itu, sekitar KRW19,1 triliun (Rp241,5 triliun) digunakan untuk pembangunan fasilitas M17 di Cheongju.Investasi tersebut merupakan bagian dari rencana ekspansi hingga tahun 2031. Fasilitas Y2 akan menjadi pabrik kedua dalam rangkaian empat fasilitas yang direncanakan di klaster semikonduktor Yongin. SK hynix menjadwalkan konstruksi Y2 dimulai pada bulan Juli 2027, sedangkan cleanroom pertama ditargetkan siap pada bulan Juni 2029.
Pabrik tersebut akan memproduksi produk DRAM generasi maju, termasuk HBM. Komponen ini menjadi bagian penting dalam infrastruktur AI karena HBM menawarkan bandwidth tinggi untuk memasok data dalam jumlah besar kepada prosesor yang digunakan dalam sistem AI.
Sementara itu, fasilitas M17 di Cheongju akan berfokus pada NAND flash, jenis memori nonvolatil yang digunakan untuk penyimpanan data. NAND digunakan dalam berbagai produk, mulai dari smartphone dan PC hingga SSD serta infrastruktur pusat data.
Pembangunan M17 dijadwalkan dimulai pada bulan Februari 2027. Cleanroom pertama fasilitas tersebut ditargetkan mulai tersedia pada bulan Desember 2028. SK hynix mengatakan pembangunan dua fasilitas tersebut dilakukan untuk mengantisipasi pertumbuhan permintaan memori dalam jangka menengah hingga panjang.
SK hynix juga menyebut ekspansi ini sebagai respons terhadap meningkatnya kebutuhan memori pada era AI.
Permintaan HBM untuk AI Mendorong Ekspansi
Pertumbuhan AI menjadi salah satu faktor utama di balik keputusan SK hynix memperbesar kapasitas produksinya. Pusat data AI membutuhkan memori berperforma tinggi untuk mendukung akselerator dan prosesor yang menangani beban kerja AI dalam skala besar.HBM menjadi salah satu produk strategis dalam kondisi tersebut. Berbeda dari DRAM konvensional, HBM dirancang untuk menyediakan bandwidth memori sangat tinggi dan menjadi komponen penting dalam sistem komputasi AI.
Reuters melaporkan bahwa fasilitas Y2 akan memproduksi DRAM canggih seperti HBM yang digunakan pada server AI. Ekspansi tersebut sekaligus memperkuat posisi SK hynix dalam persaingan memori berperforma tinggi bersama produsen besar lain, termasuk Samsung Electronics dan Micron.
Di sisi lain, investasi pada M17 menunjukkan bahwa SK hynix tidak hanya mengejar pertumbuhan pasar HBM. Perusahaan juga tetap memperluas kapasitas NAND untuk memenuhi kebutuhan penyimpanan, termasuk kebutuhan pusat data.
Permintaan terhadap penyimpanan juga ikut berkembang seiring meningkatnya jumlah data yang dihasilkan sistem AI. Pusat data membutuhkan kapasitas penyimpanan besar untuk menyimpan data pelatihan, model, hasil pemrosesan, serta berbagai informasi operasional.
Dengan membangun dua fasilitas berbeda, SK hynix dapat memperluas kapasitas produksi pada dua kategori memori sekaligus. Strategi tersebut memberikan ruang bagi perusahaan untuk merespons pertumbuhan permintaan baik pada segmen komputasi AI maupun penyimpanan data.
Ekspansi Jangka Panjang Sudah Disiapkan
Investasi KRW54,3 triliun (Rp686,6 triliun) ini merupakan bagian dari rencana ekspansi lebih luas. SK hynix sebelumnya telah mengembangkan klaster semikonduktor Yongin sebagai salah satu basis produksi memori masa depan perusahaan.Fasilitas pertama di Yongin juga terus berjalan sesuai jadwal. Cleanroom pertama fasilitas tersebut ditargetkan mulai beroperasi pada bulan Februari 2027, sebelum Y2 memasuki tahap produksi pada periode berikutnya.
Dengan tambahan Y2 dan M17, SK hynix berupaya membangun kapasitas manufaktur yang dapat mendukung permintaan memori dalam jangka panjang. SK hynix tidak hanya mempersiapkan kapasitas untuk kebutuhan saat ini, tetapi juga mengantisipasi pertumbuhan penggunaan AI dan pusat data dalam beberapa tahun mendatang.
Langkah tersebut sekaligus menunjukkan besarnya kebutuhan investasi industri semikonduktor untuk mengikuti perkembangan AI. Produksi memori membutuhkan fasilitas manufaktur berbiaya tinggi, sementara proses peningkatan kapasitas harus dilakukan jauh sebelum permintaan mencapai puncaknya.
Bagi SK hynix, keputusan menggelontorkan lebih dari USD38 miliar (Rp676 triliun) menunjukkan keyakinan bahwa pertumbuhan kebutuhan memori AI bukan sekadar fenomena jangka pendek. SK hynix secara khusus menyebut investasi tersebut sebagai upaya mengamankan basis produksi untuk memenuhi permintaan memori pada era AI.
Dengan jadwal pembangunan yang dimulai pada tahun 2027 dan cleanroom pertama ditargetkan beroperasi mulai akhir tahun 2028 hingga pertengahan tahun 2029, dampak penuh investasi ini terhadap kapasitas produksi baru akan terlihat dalam beberapa tahun mendatang.
Namun, keputusan tersebut menjadi salah satu investasi manufaktur memori terbesar SK hynix sekaligus menegaskan semakin strategisnya DRAM, HBM, dan NAND dalam perkembangan industri AI global.
Jadikan Medcom.id sumber informasi pilihan Anda
